Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Chemical Characterization of GaAs/InGaP Hetereointerfaces Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) by XPS and ARXPS
Año:2007
Áreas de investigación
  • Circuitos electrónicos,
  • Dispositivos electrónicos
Datos
Descripción
This paper studies the chemical composition of uplayers of the heterointerfaces GaAs/InGaP and InGaP/GaAs, grown by Metal Organic Vapor Pahse Epitaxy (MOVPE), after they were exposed to environmetal contamination, by means of -ray Photoelectrons Spectroscopy (XPS) by two methods: conventional XPS with Ar+ spettering ans by angle resolved XPS (ARXPS). We have determined the depth of the oxides in the superficial GaAs and InGaP layers, and we also have studied by ARXPS the profile of change of the chemical composition through the uplayer and its influence on the heterointerface.
Internacional
Si
Nombre congreso
22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Milán (Italia)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
3-936338-22-1
DOI
Fecha inicio congreso
03/09/2007
Fecha fin congreso
07/09/2007
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: F. Martín (Universidad de Málaga)
  • Autor: M. Gabas (Universidad de Málaga)
  • Autor: Beatriz Galiana Blanco (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: M.C. López (Universidad de Málaga)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: J.R. Ramos-Barrado (Universidad de Málaga)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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