Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
External efficiency and carrier loss mechanisms in InAs/GaInNAs quantum dot light-emitting diodes
Year:2010
Research Areas
Information
Abstract
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISBN
0021-8979
Impact factor JCR
2,064
Impact info
Volume
108
10.1063/1.3467004
Journal number
3
From page
0
To page
8
Month
SIN MES
Ranking
Participants
  • Autor: a. hierro (UPM)
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: m. al khalfioui
  • Autor: m. hugues
  • Autor: b. damilano
  • Autor: j. massies
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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