Artículos en revistas:
Emission control of InGaN nanocolumns grown by molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates
Año:2011
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,82 |
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Información de impacto
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Volumen
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99 |
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DOI
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10.1063/1.3644986 |
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Número de revista
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13 |
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Ranking
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14/116 PHYSICS, APPLIED (SCI) |
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Participantes
- Autor: Steven Albert . UPM
- Autor: a. bengoechea-encabo UPM
- Autor: p. lefebvre UPM
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia UPM
- Autor: Jose Maria Sanchez Garcia UPM
- Autor: e. calleja UPM
- Autor: u. jahn
- Autor: a. trampert
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
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- Departamento: Proyectos Arquitectónicos
- Departamento: Ingeniería Electrónica