Artículos en revistas:
InN/InGaN multiple quantum wells emitting at 1.5 mu m grown by molecular beam epitaxy
Año:2011
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,82 |
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Información de impacto
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Volumen
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98 |
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DOI
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10.1063/1.3552195 |
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Número de revista
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6 |
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Ranking
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14/116 PHYSICS, APPLIED (SCI) |
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Participantes
- Autor: j. grandal UPM
- Autor: j. pereiro UPM
- Autor: a. bengoechea-encabo UPM
- Autor: s. fernandez-garrido UPM
- Autor: m. a. sanchez-garcia UPM
- Autor: Elias Muñoz Merino UPM
- Autor: e. munoz UPM
- Autor: e. calleja UPM
- Autor: e. luna
- Autor: a. trampert
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica