Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
InN/GaN heterojunction electrical behavior
Year:2011
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Trabajo relacionado con las lineas de investigación de ISOM-UPM
International
Si
Congress
International Conference on Nitride Semiconductors 2011
960
Place
Glasgow, UK
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
00-0000-000-0
00000
Start Date
10/07/2011
End Date
15/07/2011
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InN/GaN heterojunction electrical behavior
Participants
  • Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
  • Autor: Steven Albert . (UPM)
  • Autor: A. Das
  • Autor: Zarko Gacevic (UPM)
  • Autor: E. Monroy
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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