Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
InN/GaN heterojunction electrical behavior
Año:2011
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Trabajo relacionado con las lineas de investigación de ISOM-UPM
Internacional
Si
Nombre congreso
International Conference on Nitride Semiconductors 2011
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Glasgow, UK
Revisores
Si
ISBN o ISSN
00-0000-000-0
DOI
00000
Fecha inicio congreso
10/07/2011
Fecha fin congreso
15/07/2011
Desde la página
0
Hasta la página
0
Título de las actas
InN/GaN heterojunction electrical behavior
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
  • Autor: Steven Albert . (UPM)
  • Autor: A. Das
  • Autor: Zarko Gacevic (UPM)
  • Autor: E. Monroy
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2021 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)