Descripción
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Trabajo relacionado con las lineas de investigación de ISOM-UPM | |
Internacional
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Si |
Nombre congreso
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International Conference on Nitride Semiconductors 2011 |
Tipo de participación
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960 |
Lugar del congreso
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Glasgow, UK |
Revisores
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Si |
ISBN o ISSN
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00-0000-000-0 |
DOI
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00000 |
Fecha inicio congreso
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10/07/2011 |
Fecha fin congreso
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15/07/2011 |
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Título de las actas
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InN/GaN heterojunction electrical behavior |