Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Optimization of InGaAsN(Sb)/GaAs quantum dots for optical emission at 1.55 µm with low optical degradation
Año:2011
Áreas de investigación
  • Física química y matemáticas,
  • Física,
  • Fisica sm -- estructura de materiales,
  • Caracterizacion
Datos
Descripción
Low opticaldegradationinGaInAsN(Sb)/GaAsquantumdots(QDs)p?i?nstructuresemittingupto 1.55 mm ispresentedinthispaper.WeobtainemissionatdifferentenergiesbymeansofvaryingN contentfrom1to4%.Thesamplesshowalowphotoluminescence(PL)intensitydegradationofonly 1 orderofmagnitudewhentheyarecomparedwithpureInGaAsQDstructures,evenforanemission wavelengthaslargeas1.55 mm. Theoptimizationstudiesofthesestructuresforemissionat1.55 mmare reportedinthiswork.HighsurfacedensityandhomogeneityintheQDlayersareachievedfor50%In contentbyrapiddecreaseinthegrowthtemperatureaftertheformationofthenanostructures.Besides, the effectofNandSbincorporationintheredshiftandPLintensityofthesamplesisstudiedbypost- growth rapidthermalannealingtreatments.Asageneralconclusion,weobservethattheadditionofSbto QD withlowNmolefractionismoreefficienttoreach1.55 mm andhighPLintensitythanusinghighN incorporationintheQD.Also,thegrowthtemperatureisdeterminedtobeanimportantparameterto obtain goodemissioncharacteristics.Finally,wereportroomtemperaturePLemissionofInGaAsN(Sb)/ GaAs at1.4 mm.
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
Desde la página
215
Hasta la página
218
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: M.Jose Milla Rodrigo UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica