Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Impact of N2 plasma power and duration on AlGaN/GaN HEMT
Año:2011

Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática

Datos
Descripción
Internacional
No
Nombre congreso
9th International conference on nitride semiconductors, ICNS
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Glasgow, Reino Unido
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
10/07/2011
Fecha fin congreso
15/07/2011
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Título de las actas

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica