Búsqueda en Memorias de Inv.
|
Año |
Tipo |
Actividad |
Area relacionada |
1 |
2019 |
Ponencias en congresos |
Comparative analyses of the In exchange in the InAs /GaAs QD system during the capping process with GaAs(Sb) at different growth rates |
Nanoelectrónica, Epitaxias y crecimientos cristalinos, Técnicas de depósito, Tecnologías a escala nano
|
2 |
2019 |
Ponencias en congresos |
Improving the efficiency of InAs/GaAs quantum dot solar cells by engineering the wetting layer |
Puntos cuanticos, Nanoelectrónica, Células solares, Epitaxias y crecimientos cristalinos, Técnicas de depósito, Tecnologías a escala nano
|
3 |
2017 |
Artículos en revistas |
Effect of Ge autodoping during III-V MOVPE growth on Ge substrates |
Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica, Epitaxias y crecimientos cristalinos
|
4 |
2019 |
Proyecto de I+D+i |
Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos electrónicos digitales (GaNQUBIT) |
Dispositivos de potencia de banda prohibida ancha (sic, gan y otros), Epitaxias y crecimientos cristalinos
|