Observatorio de I+D+i UPM

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1 2017 Artículos en revistas Effects of HfO2 Gate dielectric and KOH-based pre-treatments on AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors Microelectrónica, Diseño microelectrónico, Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet), Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Dispositivos tipo mosfet
2 2016 Artículos en revistas Effects of Proton Irradiation on AlGaN/GaN based High Electron Mobility Transistors Microelectrónica, Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet), Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Dispositivos tipo mosfet
3 2013 Artículos en revistas Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures Caracterizacion, Defectos, Estructura, Transistores de efecto de campo de modulación de dopado (modfet), Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet), Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv
4 2016 Artículos en revistas Effects of high-k gate dielectrics on the electrical behavior of AlInN/GaN based diodes and HEMTs Microelectrónica, Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet), Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Dispositivos tipo mosfet
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