Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Two-layer Hall effect model for intermediate band Ti-implanted silicon
Año:2011
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,064
Información de impacto
Volumen
109
DOI
10.1063/1.3561374
Número de revista
6
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Mes
Ranking
33/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: j. olea
  • Autor: g. gonzalez-diaz
  • Autor: d. pastor
  • Autor: i. martil
  • Autor: a. marti UPM
  • Autor: e. antolin UPM
  • Autor: a. luque UPM
  • Autor: Juan Antonio Luque Vega UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
  • Departamento: Matemática Aplicada a la Arquitectura Técnica