Memorias de investigación
Artículos en revistas:
An atomic scale study on the effect of Sb during capping of MBE grown III-V semiconductor QDs
Año:2011

Áreas de investigación

Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISSN
0268-1242
Factor de impacto JCR
1,323
Información de impacto
Volumen
26
DOI
10.1088/0268-1242/26/6/064007
Número de revista
6
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0
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11
Mes
Ranking
37/67 PHYSICS, CONDENSED MATTER (SCI); 96/219 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY (SCI); 92/247 ENGINEERING, ELECTRICAL AND ELECTRONIC (SCI)

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: m. bozkurt
  • Autor: j. m. ulloa UPM
  • Autor: p. m. koenraad

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM