Artículos en revistas:
One dimensional exciton luminescence induced by extended defects in nonpolar (Al,Ga)N/GaN quantum wells
Año:2011
Áreas de investigación
- Ingenierías,
- Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Semiconductor Science And Technology |
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ISSN
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0268-1242 |
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Factor de impacto JCR
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1,323 |
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Información de impacto
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Volumen
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26 |
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DOI
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Número de revista
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2 |
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Desde la página
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025012 |
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Hasta la página
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025015 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: A. DUSSAIGNE
- Autor: P. CORFDIR
- Autor: J. LEVRAT
- Autor: T. ZHU
- Autor: D. MARTIN
- Autor: P. LEFEBVRE
- Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica