Memorias de investigación
Research Project:
INTEGRACIÓN DE RESONADORES BAW BASADOS EN ALN CON FRECUENCIAS SUSTANCIALMENTE DISTINTAS SOBRE EL MISMO SUSTRATO
Year:2011

Research Areas
  • Electronic technology and of the communications

Information
Abstract
El objetivo fundamental del proyecto que se propone es el desarrollo de la tecnología de integración en un mismo sustrato de resonadores acústicos de volumen (BAW) basados en nitruro de aluminio (AlN) operando a frecuencias sustancialmente distintas, de cara a implementar filtros de alta frecuencia que operen en distintas bandas (DCS, WCDMA) para aplicaciones en sistemas de telefonía móvil. Las dispositivos que se pretende desarrollar son resonadores piezoeléctricos de AlN oscilando en el modo longitudinal fundamental cuya frecuencia de resonancia viene fijada, esencialmente, por el espesor de la capa de piezoeléctrico. Se pretende que los resonadores estén aislados mecánicamente de los sustratos mediante espejos acústicos formados por capas alternadas de alta y baja impedancia acústica, que favorecen el confinamiento de la energía mecánica en el seno del resonador. Para alcanzar el objetivo enunciado es necesario abordar dos tareas fundamentales. La primera es el desarrollo de un procedimiento que permita obtener, en el mismo sustrato, resonadores con capas de AlN de diferentes espesores oscilando a frecuencias correspondientes a las bandas DCS y WCDMA comprendidas entre 1710 y 2170 MHz. Como alternativa a las técnicas convencionales de ataque parcial o recrecimiento de capas de AlN usadas hasta la fecha, se propone el desarrollo de una serie de procesos sucesivos de depósito y grabado del AlN, con eliminación total de la capa piezoeléctrica en zonas seleccionadas del sustrato sobre las que se depositará una nueva capa de AlN de espesor distinto. La segunda tarea consiste en desarrollar espejos acústicos que aíslen mecánicamente los resonadores del sustrato para obtener buenas prestaciones en todo el margen de frecuencias de trabajo. Estos reflectores requerirán el desarrollo de capas con impedancias acústicas muy diferentes, cuya asociación permita obtener los coeficientes de reflexión deseados.
International
No
Project type
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas
Company
Comunidad de Madrid
Entity Nationality
ESPAÑA
Entity size
Desconocido
Granting date
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones
  • Departamento: Sistemas Electrónicos y de Control
  • Departamento: Tecnología Electrónica
  • Departamento: Ingeniería Electrónica