Artículos en revistas:
Temperature and time dependent threshold voltage characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Año:2011
Áreas de investigación
- Ingenierías,
- Tecnología electrónica y de las comunicaciones,
- Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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No |
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Título de la revista
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Physica status solidi c |
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ISSN
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0000000000000 |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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DOI 10.1002/pssc.201001102 |
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Número de revista
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Marko Jak Tadjer . UPM
- Autor: Sara Martin Horcajo UPM
- Autor: Travis J. Anderson
- Autor: Roberto Cuerdo
- Autor: Karl D. Hobart
- Autor: Fernando Calle Gomez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica