Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Temperature and time dependent threshold voltage characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Año:2011
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
Physica status solidi c
ISSN
0000000000000
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
DOI
DOI 10.1002/pssc.201001102
Número de revista
Desde la página
1
Hasta la página
3
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Travis J. Anderson
  • Autor: Roberto Cuerdo
  • Autor: Karl D. Hobart
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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