Memorias de investigación
Communications at congresses:
Selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted MBE at low temperature and under nitrogen-rich conditions
Year:2011

Research Areas
  • Engineering

Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
Congress
9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)
960
Place
Glasgow (UK), 2011
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
10/07/2012
End Date
15/07/2012
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Proceedings
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica