Ponencias en congresos:
Control of the morphology on selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted
Control of the morphology on selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted
Año:2011
Áreas de investigación
-
Ingenierías
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
|
Internacional
|
Si |
|
Nombre congreso
|
9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) |
|
Tipo de participación
|
960 |
|
Lugar del congreso
|
Glasgow (UK) 2011 |
|
Revisores
|
Si |
|
ISBN o ISSN
|
0000000000000 |
|
DOI
|
|
|
Fecha inicio congreso
|
10/07/2011 |
|
Fecha fin congreso
|
15/07/2011 |
|
Desde la página
|
0 |
|
Hasta la página
|
0 |
|
Título de las actas
|
Proceedings |
Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: Steven Albert . (UPM)
- Autor: Francesca Barbagini . (UPM)
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: P. Lefebvre
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)