Memorias de investigación
Communications at congresses:
Method of Channel Temperature and Thermal Resistance Extraction in AlGaN/GaN HEMTs
Year:2011

Research Areas
  • Engineering

Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
Congress
9th Int Conf Nitride Semiconductors
960
Place
Glasgow (UK) 2011
Reviewers
No
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
10/07/2011
End Date
15/07/2011
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Proceedings
Participants
  • Autor: Sara Martin Horcajo UPM
  • Autor: Marko Jak Tadjer . UPM
  • Autor: Roberto Cuerdo Bragado UPM
  • Autor: Eugenio Sillero Herrero UPM
  • Autor: Fatima Romero Rojo UPM
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica