Ponencias en congresos:
Evidence of charge carrier number fluctuations by low frequency noise measurements in MBE grown Indium Nitride layers
Evidence of charge carrier number fluctuations by low frequency noise measurements in MBE grown Indium Nitride layers
Año:2011
Áreas de investigación
-
Ingenierías
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
|
Internacional
|
No |
|
Nombre congreso
|
E-Material Research Society, Symp H. InN and related alloys |
|
Tipo de participación
|
960 |
|
Lugar del congreso
|
Nice (France) 2011 |
|
Revisores
|
Si |
|
ISBN o ISSN
|
0000000000000 |
|
DOI
|
|
|
Fecha inicio congreso
|
09/05/2011 |
|
Fecha fin congreso
|
13/05/2011 |
|
Desde la página
|
0 |
|
Hasta la página
|
0 |
|
Título de las actas
|
Proceedings |
Participantes
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
- Autor: G.R Mutta
- Autor: J.M. Routoure
- Autor: B Guillet
- Autor: L Mechin
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)