Ponencias en congresos:
Electrochemical capacitance voltage profiling of transition from surface electron depletion to accumulation with increasing In-content in InGaN alloys
Electrochemical capacitance voltage profiling of transition from surface electron depletion to accumulation with increasing In-content in InGaN alloys
Año:2011
Áreas de investigación
-
Ingenierías
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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E-MRS Spring Meeting, Symposium H on Indium Nitride and Related Compounds |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Nice (France) 2011 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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09/05/2011 |
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Fecha fin congreso
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13/05/2011 |
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Desde la página
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Hasta la página
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: AR. Stacel
- Autor: W.M. Linhart
- Autor: J. Pereiro
- Autor: J. Grandal
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: et al
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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