Memorias de investigación
Communications at congresses:
Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy
Year:2011

Research Areas
  • Engineering

Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
Congress
European workshop on Molecular Beam Epitaxy 2011
960
Place
L? Alpe D?Huez (France) 2011
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
20/03/2011
End Date
23/03/2011
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Proceedings
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica