Ponencias en congresos:
Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy
Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy
Año:2011
Áreas de investigación
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Ingenierías
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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European workshop on Molecular Beam Epitaxy 2011 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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L? Alpe D?Huez (France) 2011 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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20/03/2011 |
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Fecha fin congreso
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23/03/2011 |
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Desde la página
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Hasta la página
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: S. Fernández-Garrido
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: D HOSSEINI
- Autor: S ESTRADE
- Autor: F PEIRO
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- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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