Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Conferencias:
High temperature assessment of Al(GaIn)N/GaN HEMTs for RF and power applications
Año:2011
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
ISSN o ISBN
0000000000000
Entidad relacionada
Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar del congreso
Gifu (Japan) 2011
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: et al
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)