Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Cursos, seminarios y tutoriales:
II-Nitride FETs on Nitride Substrates. Prof. Masaaki Kuzuhara
Año:2011
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
III-nitride electron devices are attracting considerable attention for future wireless communication and power electronics applications. This seminar will cover a brief overview on the state-of-the-art performance of AlGaN/GaN heterojunction FETs. Focus is on the future perspectives of new III-nitride device structures for improved device performance.
Internacional
No
Nombre congreso
Seminarios del ISOM
Entidad organizadora
ISOM-DIE-ETSIT-UPM
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar/Ciudad de impartición
ISOM-DIE-ETSIT-UPM
Fecha inicio
14/03/2011
Fecha fin
14/03/2011
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Prof. Masaaki Kuzuhara
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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