Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
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Magnetic Hall sensors based on III-V heterostructures. Prof. Sylvie Contreras
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Hall sensor devices are strongly requested for fundamental, industrial and/or military applications. In our laboratory, in collaboration with ITRON-France, we have developed Hall sensors based on III-V Arsenide heterostructures for electricity metering. At high temperature (T>250°C) this type of Hall sensor as well as the usual semiconductors like Si, InSb, InAs or GaAs reach their natural thermal limits. At elevated temperature, the use of a wide band gap material like silicon carbide (SiC) or gallium nitride heterostructures is a prerequisite. With respect to SiC they offer the important advantage over the bulk material to provide a more stable carrier density. In this work, we present experimental results obtained by investigating a series of AlGaN/GaN heterostructures. It is demonstrated that these heterostructures can be used as magnetic sensors in a large temperature range (4.2-750 K) with a magnetic sensitivity close to 60 V/A/T and a small thermal drift (-7 ppm/°C)
Nombre congreso
Seminarios del ISOM
Entidad organizadora
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar/Ciudad de impartición
Fecha inicio
Fecha fin
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Prof. Sylvie Contreras
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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