Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Enhanced iron gettering by short, optimized low-temperature annealing after phosphorus emitter diffusion for industrial silicon solar cell processing
Año:2011
Áreas de investigación
  • Dispositivos electrónicos,
  • Silicio,
  • Células solares,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
The introduction of a low-temperature (LT) tail after P emitter diffusion was shown to lead to considerable improvements in electron lifetime and solar cell performance by different researchers. So far, the drawback of the investigated extended gettering treatments has been the lack of knowledge about optimum annealing times and temperatures and the important increase in processing time. In this manuscript, we calculate optimum annealing temperatures of Fe-contaminated Si wafers for different annealing durations. Subsequently, it is shown theoretically and experimentally that a relatively short LT tail of 15 min can lead to a significant reduction of interstitial Fe and an increase in electron lifetime. Finally, we calculate the potential improvement of solar cell efficiency when such a short-tail extended P diffusion gettering is included in an industrial fabrication process.
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
Physica Status Solidi (c)
ISSN
1610-1642
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
8
DOI
10.1002/pssc.201000334
Número de revista
3
Desde la página
759
Hasta la página
762
Mes
SIN MES
Ranking
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física