Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Atomic surface structure of Ge(100) surfaces in vapor phase epitaxi ambient
Año:2011

Áreas de investigación
  • Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas

Datos
Descripción
Ge(100) is the established substrate for devices such as III-V triple junction solar cells grown by metalorganic vapor phase epitaxi (MOVPE)
Internacional
Si
Nombre congreso
28th European Conference on Surface Science
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Wroclaw (Polonia)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0-000-00-00
DOI
Fecha inicio congreso
28/08/2011
Fecha fin congreso
02/09/2011
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Título de las actas
Proc. 28th European Conference on Surface Science

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: Enrique Barrigon Montañes UPM
  • Autor: S. Brückner
  • Autor: O. Supplie
  • Autor: J. Luczak
  • Autor: C. Löbbels
  • Autor: P: Kleinsehmidt
  • Autor: H. Döscher
  • Autor: T. Hammappel

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física