Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Si and SixGe1-x NWs studied by Raman spectroscopy
Año:2011
Áreas de investigación
  • Física química y matemáticas,
  • Fisica sm -- estructura de materiales,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Group IV nanostructures have attracted a great deal of attention because of their potential applications in optoelectronics and nanodevices. Raman spectroscopy has been extensively used to characterize nanostructures since it provides non destructive information about their size, by the adequate modeling of the phonon confinement effect. The Raman spectrum is also sensitive to other factors, as stress and temperature, which can mix with the size effects borrowing the interpretation of the Raman spectrum. We present herein an analysis of the Raman spectra obtained for Si and SiGe nanowires; the influence of the excitation conditions and the heat dissipation media are discussed in order to optimize the experimental conditions for reliable spectra acquisition and interpretation
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
Physica Status Solidi c
ISSN
1610-1642
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
8
DOI
Número de revista
Desde la página
1307
Hasta la página
1310
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Grupo de Investigación: Grupo de Conectividad
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones
  • Departamento: Tecnología Electrónica