Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Raman spectrum of group IV nanowires: influence of temperature
Año:2011
Áreas de investigación
  • Fisica sm -- estructura de materiales,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Group IV semiconductor nanowires are characterized by Raman spectroscopy. The results are analyzed in terms of the heating induced by the laser beam on the nanowires. By solving the heat transport equation one can simulate the temperature reached by the NWs under the exposure to a laser beam. The results are illustrated with Si and Si1-xGex nanowires. Both bundles of nanowires and individual nanowires are studied. The main experimental conditions contributing to the nanowire heating are discussed
Internacional
Si
Nombre congreso
Materials Research Society 2010 Fall Meeting
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Boston USA
Revisores
Si
ISBN o ISSN
02729172
DOI
10.1557/opl.2011.619
Fecha inicio congreso
29/11/2010
Fecha fin congreso
02/12/2010
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Título de las actas
MRS Proceedings 2011 1305 : mrsf10-1305-aa12-03 (6 pages)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones
  • Grupo de Investigación: Grupo de Conectividad
  • Departamento: Tecnología Electrónica