Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Individualization and Electrical Characterization of SiGe Nanowires
Año:2011
Áreas de investigación
  • Fisica sm -- estructura de materiales,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
SiGe nanowires of different Ge atomic fractions up to 15% were grown and ex-situ n-type doped by diffusion from a solid source in contact with the sample. The phenomenon of dielectrophoresis was used to locate single nanowires between pairs of electrodes in order to carry out electrical measurements. The measured resistance of the as-grown nanowires is very high, but it decreases more than three orders of magnitude upon doping, indicating that the doping procedure used has been effective
Internacional
Si
Nombre congreso
Materials Research Society 2011 Fall Meeting
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Boston (USA)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
02729172
DOI
10.1557/opl.2012.33
Fecha inicio congreso
28/11/2011
Fecha fin congreso
02/12/2011
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Título de las actas
Low-Dimensional Functional Nanostructures-Fabrication, Characterization and Applications. Materials Research Society Symposium Proceedings 1408, BB10-06 (2012), 6 pp.
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Conectividad
  • Departamento: Tecnología Electrónica