Memorias de investigación
Communications at congresses:
High Temperature Pulsed and DC Performance of AlInN/GaN HEMTs
Year:2011

Research Areas
  • Engineering

Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
Congress
9th ICNS - Glasgow (UK), July 2011
960
Place
Glasgow (UK),
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
10/07/2012
End Date
15/07/2012
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High Temperature Pulsed and DC Performance of AlInN/GaN HEMTs
Participants
  • Autor: Sara Martin Horcajo UPM
  • Autor: Marko Jak Tadjer . UPM
  • Autor: Marie Di Forte Poisson (III-V Labs-THALES)
  • Autor: E Morvan (III-V Labs-THALES)
  • Autor: C Dua (III-V Labs-THALES)
  • Autor: Roberto Cuerdo Bragado UPM
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica