Ponencias en congresos:
High Temperature Pulsed and DC Performance of AlInN/GaN HEMTs
High Temperature Pulsed and DC Performance of AlInN/GaN HEMTs
Año:2011
Áreas de investigación
-
Ingenierías
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
|
Internacional
|
Si |
|
Nombre congreso
|
9th ICNS - Glasgow (UK), July 2011 |
|
Tipo de participación
|
960 |
|
Lugar del congreso
|
Glasgow (UK), |
|
Revisores
|
Si |
|
ISBN o ISSN
|
0000000000000 |
|
DOI
|
|
|
Fecha inicio congreso
|
10/07/2012 |
|
Fecha fin congreso
|
15/07/2012 |
|
Desde la página
|
0 |
|
Hasta la página
|
0 |
|
Título de las actas
|
High Temperature Pulsed and DC Performance of AlInN/GaN HEMTs |
Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
- Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
- Autor: Marie Di Forte Poisson (III-V Labs-THALES)
- Autor: E Morvan (III-V Labs-THALES)
- Autor: C Dua (III-V Labs-THALES)
- Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)