Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Electronic Structure of Copper Nitrides As a Function of Nitrogen Content
Año:2012
Áreas de investigación
  • Fisica sm -- estructura de materiales,
  • Fisica so -- materia condensada blanda,
  • Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas
Datos
Descripción
The nitrogen content dependence of the electronic properties for copper nitride thin films with an atomic percentage of nitrogen ranging from 26±2 to 33±2 have been studied by means of optical (spectroscopic ellipsometry), thermoelectric (Seebeck), and electrical resistivity measurements. The optical spectra are consistent with direct optical transitions corresponding to the stoichiometric semiconductor Cu3N plus a free-carrier contribution, essentially independent of temperature, which can be tuned in accordance with the N-excess. Deviation of the N content from stoichiometry drives to significant decreases from -5 to -50 ?V/K in the Seebeck coefficient and to large enhancements, from 10e-3 up to 10 ?cm, in the electrical resistivity. Band structure and density of states calculations have been carried out on the basis of the density functional theory to account for the experimental results.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Thin Solid Films
ISSN
0040-6090
Factor de impacto JCR
1,909
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
Desde la página
1
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8
Mes
SIN MES
Ranking
Q1
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Nuria Gordillo Garcia (UPM)
  • Autor: R. Gonzalez-Arrabal
  • Autor: P. Diaz-Chao
  • Autor: J.R. Ares
  • Autor: I.J. Ferrer
  • Autor: F. Yndurain
  • Autor: F. Agulló-López
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Fusión Nuclear Inercial y Tecnología de fusión
  • Departamento: Ingeniería Nuclear
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