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Role of surface trap states on two-dimensional electron gas density in InAlN/AlN/GaN heterostructures
Role of surface trap states on two-dimensional electron gas density in InAlN/AlN/GaN heterostructures
Año:2012
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,82 |
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Información de impacto
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Volumen
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100 |
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DOI
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10.1063/1.4703938 |
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Número de revista
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15 |
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Mes
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Ranking
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14/116 PHYSICS, APPLIED (SCI) |
Participantes
- Autor: s. pandey
- Autor: d. cavalcoli
- Autor: b. fraboni
- Autor: a. cavallini
- Autor:
t. brazzini (UPM) - Autor: f. calle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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