Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Role of surface trap states on two-dimensional electron gas density in InAlN/AlN/GaN heterostructures
Año:2012
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,82
Información de impacto
Volumen
100
DOI
10.1063/1.4703938
Número de revista
15
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Mes
Ranking
14/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: s. pandey
  • Autor: d. cavalcoli
  • Autor: b. fraboni
  • Autor: a. cavallini
  • Autor: t. brazzini (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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