Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Impact of N-2 Plasma Power Discharge on AlGaN/GaN HEMT Performance
Año:2012

Áreas de investigación

Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ISSN
0018-9383
Factor de impacto JCR
2,255
Información de impacto
Volumen
59
DOI
10.1109/TED.2011.2176947
Número de revista
2
Desde la página
374
Hasta la página
379
Mes
Ranking
27/116 PHYSICS, APPLIED (SCI); 32/247 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC (SCI)

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Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Civil: Construcción
  • Departamento: Ingeniería Electrónica