Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Independent tuning of electron and hole confinement in InAs/GaAs quantum dots through a thin GaAsSbN capping layer
Año:2012
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,82
Información de impacto
Volumen
100
DOI
10.1063/1.3673563
Número de revista
1
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4
Mes
Ranking
14/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: d. f. reyes
  • Autor: m. montes (UPM)
  • Autor: k. yamamoto (UPM)
  • Autor: d. l. sales
  • Autor: d. gonzalez
  • Autor: a. guzman (UPM)
  • Autor: a. hierro (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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