Artículos en revistas:
Investigation of AlInN barrier ISFET structures with GaN capping for pH detection
Investigation of AlInN barrier ISFET structures with GaN capping for pH detection
Año:2012
Áreas de investigación
-
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Sensors And Actuators B-Chemical |
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ISSN
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0925-4005 |
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Factor de impacto JCR
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3,898 |
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Información de impacto
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Volumen
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01 |
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DOI
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Número de revista
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176 |
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Desde la página
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704 |
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Hasta la página
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707 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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