Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Investigation of AlInN barrier ISFET structures with GaN capping for pH detection
Año:2012
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Sensors And Actuators B-Chemical
ISSN
0925-4005
Factor de impacto JCR
3,898
Información de impacto
Volumen
01
DOI
Número de revista
176
Desde la página
704
Hasta la página
707
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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