Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Sub-bandgap spectral photo-response analysis of Ti supersaturated Si
Año:2012
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Dispositivos electrónicos,
  • Silicio,
  • Semiconductores amorfos,
  • Dispositivos fotónicos receptores de luz
Datos
Descripción
We have analyzed the increase of the sheet conductance (?G?) under spectral illumination in high dose Ti implanted Si samples subsequently processed by pulsed-laser melting. Samples with Ti concentration clearly above the insulator-metal transition limit show a remarkably high ?G?, even higher than that measured in a silicon reference sample. This increase in the ?G? magnitude is contrary to the classic understanding of recombination centers action and supports the lifetime recovery predicted for concentrations of deep levels above the insulator-metal transition.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,844
Información de impacto
Volumen
101
DOI
10.1063/1.4766171
Número de revista
Desde la página
192101-1
Hasta la página
192101-5
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: E. García-Hemme
  • Autor: R. García-Hernasanz
  • Autor: Javier Olea Ariza UPM
  • Autor: David Pastor Pastor UPM
  • Autor: A. del Prado
  • Autor: I. Martil
  • Autor: G. González-Díaz
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar