Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Cubic and hexagonal InGaAsN dilute arsenides by unintentional homogeneous incorporation of As into InGaN
Año:2012
Áreas de investigación
  • Química física,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
Arsenic alloying is observed for epitaxial layers nominally intended to be In0.75Ga0.25N. Voids form beneath their interfaces with GaAs substrates, acting as sources of Ga + As out-diffusion into the growing epilayers. As a result, heteroepitaxial single-phase quaternary InxGa1-xAsyN1-y, films are formed with x similar to 0.55 and 0.05 < y < 0,10. While an undoped epilayer retains the wurtzite structure, a Mn-doped sample showed randomly spaced dopant segregations, which, together with a slightly higher As concentration, led to a transformation from the hexagonal to the twinned cubic phase.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Scripta Materialia
ISSN
1359-6462
Factor de impacto JCR
2,699
Información de impacto
Volumen
66
DOI
10.1016/j.scriptamat.2011.11.025
Número de revista
6
Desde la página
351
Hasta la página
354
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: F.M. Morales
  • Autor: D. Carvalho
  • Autor: T. Ben
  • Autor: R. García
  • Autor: S.I. Molina
  • Autor: Antonio Marti Vega UPM
  • Autor: Antonio Luque Lopez UPM
  • Autor: C.R. Staddon
  • Autor: R.P. Campion
  • Autor: C.T. Foxon
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física