Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Investigation of Al1xInxN barrier ISFET structures with GaN capping on silicon substrates for pH detection
Año:2012
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php
Internacional
Si
Nombre congreso
International Workshop on Nitride Semiconductors
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Sapporo (Japan), 2012
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
14/10/2012
Fecha fin congreso
19/10/2012
Desde la página
0
Hasta la página
3
Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)