Ponencias en congresos:
Investigation of Al1xInxN barrier ISFET structures with GaN capping on silicon substrates for pH detection
Investigation of Al1xInxN barrier ISFET structures with GaN capping on silicon substrates for pH detection
Año:2012
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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International Workshop on Nitride Semiconductors |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Sapporo (Japan), 2012 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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14/10/2012 |
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Fecha fin congreso
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19/10/2012 |
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Desde la página
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0 |
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Hasta la página
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3 |
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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