Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Analysis of the surface state of epi-ready Ge wafers
Año:2012
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
The surface state of Ge epi-ready wafers (such as those used on III?V multijunction solar cells) supplied by two different vendors has been studied using X-ray photoemission spectroscopy. Our experimental results show that the oxide layer on the wafer surface is formed by GeO and GeO2. This oxide layer thickness differs among wafers coming from different suppliers. Besides, several contaminants appear on the wafer surfaces, carbon and probably chlorine being common to every wafer, irrespective of its origin. Wafers from one of the vendors show the presence of carbonates at their surfaces. On such wafers, traces of potassium seem to be present too.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Applied Surface Science
ISSN
0169-4332
Factor de impacto JCR
2,103
Información de impacto
Volumen
258
DOI
10.1016/j.apsusc.2012.05.015
Número de revista
20
Desde la página
8166
Hasta la página
8170
Mes
AGOSTO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: M. Gabás
  • Autor: S. Palanco
  • Autor: S. Bijani
  • Autor: Enrique Barrigon Montañes (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
  • Autor: J.R Ramos-Barrado
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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