Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Impact of MOVPE Environment on Silicon Substrates for III-V-on-Si Multijunction Solar Cells, Japanese Journal of Applied Physics
Año:2012
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
With the final goal of integrating IIIV materials to silicon for tandem solar cells, the influence of the metal?organic vapor phase epitaxy (MOVPE) environment on the minority carrier properties of silicon wafers has been evaluated. These properties will essentially determine the photovoltaic performance of the bottom cell in a III?V-on-Si tandem solar cell device. A comparison of the base minority carrier lifetimes obtained for different thermal processes carried out in a MOVPE reactor on Czochralski silicon wafers has been carried out. The effect of the formation of the emitter by phosphorus diffusion has also been evaluated.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Japanese Journal of Applied Physics
ISSN
0021-4922
Factor de impacto JCR
1,058
Información de impacto
Volumen
51
DOI
10.1143/JJAP.51.10ND05
Número de revista
Desde la página
10ND05-1
Hasta la página
10ND05-4
Mes
OCTUBRE
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Elisa Garcia-Tabares Valdivieso (UPM)
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
  • Autor: J-F Leliévre
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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