Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Optoelectronic Properties of InAlN/GaN Distributed Bragg Reflector Heterostructure Examined by Valence
Year:2012

Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications

Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php
International
Si
JCR
Si
Title
Microscopy And Microanalysis
ISBN
1431-9276
Impact factor JCR
3,007
Impact info
Volume
18
Journal number
From page
1143
To page
1154
Month
SIN MES
Ranking
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica