Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing
Año:2012
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,844
Información de impacto
Volumen
101
DOI
Número de revista
Desde la página
25311
Hasta la página
25311-5
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: JM LLorens
  • Autor: B Alen
  • Autor: D.F Reyes
  • Autor: et al
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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