Ponencias en congresos:
A comprehensive diagram to grow (0001) InGaN alloys by molecular beam epitaxy
A comprehensive diagram to grow (0001) InGaN alloys by molecular beam epitaxy
Año:2012
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php | |
|
Internacional
|
Si |
|
Nombre congreso
|
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 |
|
Tipo de participación
|
960 |
|
Lugar del congreso
|
Sapporo (Japón), 2012 |
|
Revisores
|
Si |
|
ISBN o ISSN
|
0000000000000 |
|
DOI
|
|
|
Fecha inicio congreso
|
14/10/2012 |
|
Fecha fin congreso
|
19/10/2012 |
|
Desde la página
|
0 |
|
Hasta la página
|
3 |
|
Título de las actas
|
Proceedings |
Participantes
- Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM)
- Autor: Noemi Garcia Lepetit (UPM)
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: Paul Soto Rodriguez (UPM)
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: Richard Notzel . (UPM)
- Autor: S. Fernández-Garrido
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)