Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Impact of N on the structural properties of GaAsSbN-capped InAs QDs studied by advanced transmission electron microscopy techniques
Año:2012
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php
Internacional
Si
Nombre congreso
Fall European Materials Research Society Meeting (EMRS) 2012 Strasbourg, France, 2012,
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Strasbourg, France, 2012,
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
14/05/2012
Fecha fin congreso
18/05/2012
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: DF Reyes
  • Autor: DL Sales
  • Autor: et al
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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