Memorias de investigación
Communications at congresses:
Gate oxide stability of 4H-SiC MOSFETs under on/oFF-state bias-temperature stress
Year:2012

Research Areas
  • Engineering

Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php
International
Si
Congress
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials Saint Petersburg, (Russia), 2012
960
Place
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
02/09/2012
End Date
06/09/2012
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0
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3
Proceedings
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica