Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Estimation of Local Crystallization of a-Si:H Thin Films by Nanosecond Pulsed Laser Irradiation Through Local Temperature Simulation
Año:2012
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
We present a detailed study of the wavelength influence in pulsed laser annealing of amorphous silicon thin films, comparing the results for material modification at different fluence regimes both in the three fundamental harmonics of standard DPSS laser sources, UV (355 nm), visible (532 nm) and IR (1064 nm), and KrF (248 nm) excimer laser sources. Samples of hydrogenated amorphous silicon thin films were irradiated and characterized with MicroRaman techniques. A finite element model (FEM) was developed in COMSOL to simulate the process. The numerical and experimental results are presented, proving that the process can be predicted with a model based on heat transport.
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
Physics Procedia
ISSN
1875-3892
Factor de impacto JCR
Información de impacto
Volumen
39
DOI
Número de revista
Desde la página
286
Hasta la página
294
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Oscar Garcia Garcia (UPM)
  • Autor: Juan José García-Ballesteros . (UPM)
  • Autor: D. Munoz-Martin (UPM)
  • Autor: Sara Núñez Sánchez (UPM)
  • Autor: Miguel Morales Furio (UPM)
  • Autor: J. Cárabe (CIEMAT)
  • Autor: I. Torres (CIEMAT)
  • Autor: J.J. Gandía (CIEMAT)
  • Autor: Carlos Luis Molpeceres Alvarez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Investigación en Ingeniería y Aplicaciones del Láser
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro Laser
  • Departamento: Física Aplicada a la Ingeniería Industrial
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