Observatorio de I+D+i UPM

Descripción
In this contribution, angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy is used to explore the extension and nature of a GaAs/GaInP heterointerface. This bilayer structure constitutes a very common interface in a multilayered III-V solar cell. Our results show a wide indium penetration into the GaAs layer, while phosphorous diffusion is much less important. The physico-chemical nature of such interface and its depth could deleteriously impact the solar cell performance. Our results probe the formation of spurious phases which may profoundly affect the interface behavior.
Internacional	Si
Nombre congreso	38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
Tipo de participación	960
Lugar del congreso	Austin, Texas (EEUU)
Revisores	Si
ISBN o ISSN	978-1-4673-0066-7
DOI
Fecha inicio congreso	03/06/2012
Fecha fin congreso	08/06/2012
Desde la página	385
Hasta la página	389
Título de las actas	"ARXPS analysis of a GaAs/GaInP heterointerface with application in III-V multijunction solar cells"

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

• Autor: M. Gabás
• Autor: M.C. López Escalante
• Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
• Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
• Autor: B. Galiana
• Autor: S. Palanco
• Autor: J.R Ramos Barrado

• Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
• Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
• Departamento: Electrónica Física