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Descripción
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| Estrategia de modelado seguida en el grupo de semiconductores III-V, desarrollo de conceptos básicos de simulación numérica de células solares basadas en semiconductores III-V y descripción de los resultados del estudio en tres dimensiones de pérdidas en el perímetro en céllas solares de GaAs con diferentes tamaños, geometría y niveles de dopado. Presentación del plan de trabajo para modelar células de triple unión fabricadas en el IES-UPM. Comparaciones entre los simuladores numéricos utilizados entre Atlas de Silvaco y D-AMPS y participación en el experimento de irradiación con protones sobre células solares III-V fabricadas en el IES-UPM. | |
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Internacional
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Si |
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Lugar
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Argentina |
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Tipo
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Miembros en el extranjero |
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Fecha inicio
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27/11/2012 |
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Fecha fin
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12/12/2012 |