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Descripción
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| Se analiza en crecimiento epitaxial selectivo de nanoestructuras de InGaN mediante la técnica MBE (Molecular Beam Epitaxy) sobre substratos con máscaras de nanoagujeros de titanio. El éxito en este tipo de crecimiento depende de un balance crítico entre la difusividad de los átomos metálicos y su desorción, la rugosidad de la superficie, y la razón III/V. Se discuten diferentes aproximaciones a la generación de luz blanca de estado sólido sin utilización de fósforo conversor, como es el caso de zonas activas de InGaN en forma de: i) pozo cuántico ii) región extensa con composición fija iii) región extensa con composición gradual iv) estructura RGB (rojo-verde-azul). | |
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Internacional
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No |
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Nombre congreso
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Cursos y Seminarios del ISOM |
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Entidad organizadora
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ISOM-UPM |
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Nacionalidad Entidad
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Sin nacionalidad |
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Lugar/Ciudad de impartición
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Madrid |
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Fecha inicio
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19/11/2012 |
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Fecha fin
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19/11/2012 |