Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Individualization and electrical characterization of SiGe nanowires
Año:2012
Áreas de investigación
  • Física,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
SiGe nanowires of different Ge atomic fractions up to 15% were grown and ex-situ n-type doped by diffusion from a solid source in contact with the sample. The phenomenon of dielectrophoresis was used to locate single nanowires between pairs of electrodes in order to carry out electrical measurements. The measured resistance of the as-grown nanowires is very high, but it decreases more than three orders of magnitude upon doping, indicating that the doping procedure used has been effective.
Internacional
Si
Nombre congreso
Materials Research Society 2011 Fall Meeting
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Boston
Revisores
Si
ISBN o ISSN
1946-4274
DOI
10.1557/opl.2012.33
Fecha inicio congreso
28/11/2011
Fecha fin congreso
02/12/2011
Desde la página
1
Hasta la página
6
Título de las actas
Materials Research Society Symposium Proceedings 1408, BB10-06 (2012) MRS Online Proceedings Library
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: M. M. Monasterio (U. Carlos III)
  • Autor: Andres Rodriguez Dominguez (UPM)
  • Autor: Tomas Rodriguez Rodriguez (UPM)
  • Autor: C. Ballesteros (U. Carlos III)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Conectividad
  • Departamento: Tecnología Electrónica
S2i 2021 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)