Descripción
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Patente que describe un método para realizar el dopado selectivo de un semiconductor mediante un proceso de transferencia inducida por láser. | |
Internacional
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No |
Estado
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Solicitada |
Referencia Patente Prioritaria
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P201231065 |
En explotación
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No |
Licenciatarios
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Fecha solicitud
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06/06/2012 |
Titulares aparte de la UPM
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UPC |